?。?）在設(shè)備的前端配置與SEMI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)機械接口（SMF）。設(shè)計能夠與工廠自動化的硅片傳輸系統(tǒng)（AutomatedMaterialHandlingSystem.AMHS）和進行硅片和信息交換的裝載端口（LoadPort）以及將傳統(tǒng)的開放式片盒（OpenCassette）放入到一個能保持硅片傳輸過程中的潔凈度的微環(huán)境（Mini-Environment）。這種技術(shù)的使用既能保持硅片傳輸環(huán)境的潔凈程度，同時也為自動化的硅片傳輸提供了很好的機制。
（2）快速熱處理設(shè)備模塊化設(shè)計。通過位于各模塊中心的傳輸模塊（TransferModule）進行各不同工藝模塊之間、工藝模塊與外界生產(chǎn)環(huán)境之間的硅片傳輸。各個模塊之間保持機械、電氣裝置的獨立。通過利用同一機械手在不同的反應(yīng)模塊之間進行硅片的傳輸，可以較大的降低設(shè)備的轉(zhuǎn)換時間，同時通過利用統(tǒng)的群集設(shè)備控制系統(tǒng)（ClusterToolController，CTC）協(xié)調(diào)傳輸平臺模塊與工藝反應(yīng)模塊之間的工作，實現(xiàn)整個臺車退火爐的工作流程以及工藝菜單的自動執(zhí)行，提高了單臺設(shè)備的產(chǎn)出率以及整機的工藝集成能力，并為實現(xiàn)越為復(fù)雜的工藝集成，以及檢測集成提供了良好的基礎(chǔ)。
?。?）適應(yīng)90nm以下工藝的峰值熱處理工藝溫度控制能力。峰值溫度一致性對器件性能有很大影響，因為源/漏極擴展的側(cè)壁位置及其生成的有益溝道長度與熱處理的溫度呈指數(shù)關(guān)系。pMOS晶體管門限電壓隨溫度的變化率高過2mV/℃，因而在90nm工藝中需要將各晶片上所有點的溫度一致性控制在5℃范圍之內(nèi)，這樣才能夠提高器件的成品率。并使每片晶圓產(chǎn)出更多具有越高速度的芯片。
?。?）傳統(tǒng)的燈光熱源有向激光熱源發(fā)展的趨勢。利用激光熱源處理技術(shù)只要幾納秒便可完成極淺結(jié)點和觸點的激活，因而在熱投入為零的條件下實現(xiàn)了芯片期望的性能特點。使用激光臺車退火爐（LTP）能夠改善器件的可靠性和良率，進而實現(xiàn)生產(chǎn)能力的飛躍。
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